BUK9E4R4-80E,127 NXP USA Inc.

📅 2026-01-30

BUK9E4R4-80E,127: NXP의 고성능 MOSFET로 내구성과 효율을 한 단계 업그레이드하세요

소개
BUK9E4R4-80E,127는 NXP USA Inc.의 첨단 기술이 적용된 MOSFET(단일) 소자입니다. 고성능 애플리케이션에 필요한 뛰어난 신뢰성과 에너지 효율성으로, 자동차 전장 시스템부터 산업용 로봇, IOT 디바이스에 이르기 까지 현대 임베디드 및 첨단 시스템의 핵심 소자로 사용됩니다. 이 부품은 높은 내구성과 전력 효율성을 요구하는 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

고효율 및 신뢰성
NXP의 전력 반도체 기술을 바탕으로, BUK9E4R4-80E,127BUK9E4R4-80E,127: 내구성과 효율성을 동시에 확보한 NXP의 차세대 전력 MOSFET

NXP 반도체의 BUK9E4R4-80E,127(이하 BUK9E4R4)는 첨단 MOSFET 기술과 높은 신뢰성을 요구하는 다양한 고성장 분야에 적용 가능한 단일 N-채널 고체력 트랜지스터 입니다. 본 에세이는 높은 내열, 에너지 효율성 및 소형화 가능성으로 다양한 전력 제어 시스템에서 최적화된 성능을 제공하는 이 트랜지스터의 핵심 장점과 차별화된 경쟁력을 집중 분석합니다.

BUK9E4R4-80E,127의 차별화 된 성능과 하이라이트

• 제어형 게이트 드라이브로 인한 향상된 효율성: 낮은 온 상태 저항(R_DS(on))와 낮은 소비전력 덕분에 전력변환 장치(변환율 90% 초과) 뿐만 아니라 다양한 애플리케이션에서 우수한 성능을 발휘합니다. 이는 특히 고속 스위칭 회로에서 손실을 최소화하여, 내부 열 발생을 줄이고 장시간 사용 시 안정성과 온도 모니터링 기능을 제고합니다.
• 산업용 및 자동차 애플리케이션에 대한 인증:
  자동차(AEC-Q101) 인증 대응과 -55°C에서 175°C의 넓은 온도 범위를 커버, 높은 제조 공정 안정성 및 확장성을 통해 안정된 대량 공급도 대응할 수 있습니다.

주요 기술 사항 및 적용 산업:

• 최대 연속 드레인 전류(Id): 5.2 A (100V Breakdown Voltage) /
• 게이트-소스 간 임계전압 (VGS(th)): 4V(일반값)로 디지털 회로와 호환성.
• 제품형명의 E4R4 는 패키지 인덱스(TO-252(SOT-428AB)) 및 저내압, 스위칭 응답성을 강화.

적용분야 및 마켓 동향:
BUK9E4R4-80E,127 는 주로 산업용 (팬, 펌프, 로봇, 공구), 모바일기기, 전력공급, 자동차 (부하 스위치, DC/DC 컨버터), 및 LED조명/가정용제품 (스위칭 회로) 분야에서 차량, 에너지 저장/가전 장치의 마이크로컨트롤러 구동, 배터리 관리 시스템 및 전자 보호 장치에 이르기까지 사용이 가능합니다.

이러한 특징으로 인해, BUK9E4R4-80E,127의 광범위한 응용 및 고유전압, 100V의 적절한 스위칭 특성과 TO-252 패키지 형태와 같은 구성으로 설계 간소화와 동작효율을 동시에 달성할 수 있습니다.